ダイオード Si/SiC
pg电子娱乐官网游戏地址SiCダイオードには、高コスパ「NovuSiC®」と高信頼性「DuraSiC®」シリーズがあります。
SiC EJBS™（Enhanced Junction Barrier Schottky）：11倍の高アンチサージ電流。
Si理想ダイオードMCR®（MOS-Controlled Rectifier）：175℃の高動作温度性能。
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MOSFET Si/SiC
pg电子娱乐官网游戏地址SiC MOSFETには、高コスパ「NovuSiC®」と高信頼性「DuraSiC®」シリーズがあります。
NovuSiC®/DuraSiC®️ MOSFETには、超低FOM（Ron*Qgd）を備えます。
Si FR MOS（Fast Recovery MOSFET）には、超低ボディダイオード逆回復電流があります。
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