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SiC晶体：

采用惯用基矢表示的4H-SiC晶体为六方晶系，这是4H-SiC中“H”（Hexagon）的来源 SiC分子堆叠的过程中共有3种可能的位置，根据堆叠周期和循环方式的不同形成了不同的多型体结构（SiC的多型体结构高达200种以上）。

4H-SiC采用ABCB的堆叠方式，周期为4，这也是4H-SiC中“4”的由来。

SiC材料优势在哪里？

 碳化硅是宽禁带半导体材料的典型代表，是高温、高频、大功率等应用场合下的理想半导体材料。

• 宽禁带：SiC禁带宽度是Si的三倍，超高的禁带宽度使得价态电子跃迁为自由电子的能量提高，从而使得SiC器件可以应用于高温、高压、强辐射等极端环境而不失效。

• 高临界击穿电场强度：临界击穿电场强度是Si的10倍，这意味着同样厚度的材料，SiC可以承受远大于Si的耐压；换言之，在满足相同耐压的情况下，SiC可以实现远低于Si的导通电阻。

• 高热导率：热导率是Si的3倍多，这意味着SiC器件可以采用更加简化的散热系统，大幅度降低散热成本。

• 高饱和电子漂移速度：饱和电子漂移速度是Si的接近三倍，这意味着SiC器件可以工作在更高的开关速度和开关频率下，可以极大程度地减小器件的开关损耗。并且显著减小滤波器等无源器件的尺寸，使得系统整体小型化轻量化。