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      公司简介

      成都pg电子娱乐官网游戏地址半导体有限公司 (NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 成立于2019年，是致力于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业。

      pg电子娱乐官网游戏地址拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。

      pg电子娱乐官网游戏地址碳化硅产品分为高性价比的“NovuSiC®”和高可靠性的“DuraSiC®”系列。产品涵盖碳化硅EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)二极管与碳化硅MOSFET；硅基产品有175˚C高结温的理想二极管MCR®（MOS-Controlled Rectifier）及FRMOS（Fast Recovery MOSFET)。广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。




      23项
      知识产权
      18项
      发明
      5项
      实用新型专利
      3项
      PCT
      发展历程
      2024.04
      第二代车规级SiC MOSFET正式发布
      pg电子娱乐官网游戏地址半导体第二代NovuSiC® 1200V 20mΩ SiC MOSFET正式发布
      2024.04
      2024.03
      通过AEC-Q101车规级可靠性认证
      pg电子娱乐官网游戏地址半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证
      2024.03
      2023.12
      《2023 碳化硅（SiC）产业调研白皮书》正式发布
      pg电子娱乐官网游戏地址半导体参编《2023 碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，助力产业加速发展创新
      2023.12
      2023.11
      四川省专精特新中小企业认定
      pg电子娱乐官网游戏地址半导体顺利通过2023年度四川省专精特新中小企业认定
      2023.11
      2023.09
      NEPCON Japan 2023日本国际电子展
      pg电子娱乐官网游戏地址半导体携明星产品亮相NEPCON Japan 2023 日本国际电子展，加速拓展海外市场
      2023.09
      2023.05
      WLTBI系统启动仪式
      pg电子娱乐官网游戏地址半导体WLTBI系统启动仪式在成都总部进行，切实保障SiC MOSFET栅极氧化层可靠性
      2023.05
      2023.04
      1200V 12mΩ NovuSiC® MOSFET
      pg电子娱乐官网游戏地址半导体1200V 12mΩ NovuSiC® MOSFET量产
      2023.04
      2023.03
      通过ISO三大体系认证
      pg电子娱乐官网游戏地址半导体顺利通过德国莱茵TÜV集团ISO“质量、环境、健康”三大体系认证
      2023.03
      2023.02
      与台湾汉磊科技成为长期战略合作伙伴
      汉磊科技将pg电子娱乐官网游戏地址半导体代工产品优先级列为第一等级
      2023.02
      2022.11
      高新技术企业认定
      pg电子娱乐官网游戏地址半导体顺利获批四川省2022年第一批高新技术企业
      2022.11
      2022.09
      线上新品发布会成功举办
      pg电子娱乐官网游戏地址半导体第一代碳化硅MOSFET正式发布
      2022.09
      2022.08
      顺利完成Pre-A轮融资
      敬请关注9月27日线上新品发布会
      2022.08
      2022.06
      举办“芯见未来”产品发布会
      发布自主开发的NovuSiC® EJBS™和理想硅基MCR®二极管系列产品
      2022.06
      2022.01
      SiC二极管（G1）量产
      1200V/20A EJBS™二极管正式量产
      2022.01
      2021.12
      订单金额达300万
      硅基MCR®订单金额达300万
      2021.12
      2021.10
      SiC MOSFET（G1) 量产
      SiC MOSFET（G1) 1200V/75mΩ 正式量产
      2021.10
      2021.05
      SiC MOSFET(G1)开发成功
      1200V/75mΩ SiC MOSFET 第一次工程流片即达91.2%良率
      2021.05
      2021.03
      天使轮融资完成
      进行MCR产品优化及SiC产品量产
      2021.03
      2021.01
      硅基MCR科技成果转化
      电子科大功率集成技术实验室专利突破性硅基理想二极管
      2021.01
      2020.11
      SiC二极管(G1)开发成功
      1200V/20A EJBS™ SiC二极管首次工程流片即达97%良率
      2020.11
      2019.12
      pg电子娱乐官网游戏地址半导体成立
      设立于成都市高新区外资矽能科技功率半导体孵化器
      2019.12
      质量管理体系

      pg电子娱乐官网游戏地址半导体拥有ISO 9001质量管理体系认证，建立了IATF 16949供应链体系，严控产业链。

      在全国范围内率先投资引入国际先进WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统，确保碳化硅晶圆出厂质量与可靠性达到行业最高标准。

      pg电子娱乐官网游戏地址出品的产品均严格执行AEC-Q101标准，并在此基础上创造性地提出了公司内部的AEC-Q101+标准，称之为 NovuSuperior。

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