二极管 SiC/Si
pg电子娱乐官网游戏地址SiC二极管拥有高性价比"NovuSiC®"和高可靠性"DuraSiC®"系列。
SiC EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky):11倍高抗浪涌电流；
硅基理想二极管MCR®（MOS-Controlled Rectifier):175˚C高结温性能。
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MOSFET SiC/Si
pg电子娱乐官网游戏地址SiC MOSFET拥有高性价比"NovuSiC®"和高可靠性"DuraSiC®"系列。
NovuSiC®/DuraSiC®️ MOSFET具有超低动态优值（Ron*Qgd）；
硅基FR MOS（Fast Recovery MOSFET)具有超低体二极管反向恢复电流。
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